Полевой транзистор уго гост
Транзистор (от английских слов tran(sfer) — переносить и (re)sistor — сопротивление) — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний. ГОСТ 2.755-87. Размеры условных графических обозначений приведены в модульной сетке. Полевой транзистор с изолированным затвором (mosfet) — это полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от канала слоем диэлектрика. 1. Транзистор. а) типа pnp. б) типа npn с выводом от внутреннего экрана. 2. Транзистор типа npn, коллектор соединен с корпусом. 3. Транзистор лавинный типа Транзистор полевой с изолированным затвором с выводом от подложки обогащенного типа с Р-каналом 6. Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с Р -каналом с выводом от подложки. Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с n-каналом, с внутренним соединением истока и подложки. УГО, поясняющие конструкцию электрических машин (ГОСТ 2.722-68 ) Таблица 2.12 УГО электрических машин (форма MOSFET, IGBT и Дарлингтона транзисторы Полевой или FET (field-effect transistor) транзистор. Аналогичен биполярным транзисторам (BJT). ГОСТ 21.614, ГОСТ 21.608 Размеры УГО в электрических схемах. Чертежи и схемы для проекта освещения в Visio. Транзистор же со встроенным каналом открывается уже при «0», а при отрицательном напряжении на затворе работает в обеднённом режиме (тоже открыт, но пропускает меньше тока).